В России создают первый транзистор на основе карбида кремнияВ России создают первый транзистор на основе карбида кремния 09.04.202509.04.2025| schvedschved| В Санкт-Петербургском электротехническом университете «ЛЭТИ» ведётся разработка первого отечественного полевого транзистора на основе карбида кремния (SiC). В марте 2025 года специалисты представили первый прототип устройства на 1,7 кВ, созданный по ДалееДалее