В Санкт-Петербургском электротехническом университете «ЛЭТИ» ведётся разработка первого отечественного полевого транзистора на основе карбида кремния (SiC). В марте 2025 года специалисты представили первый прототип устройства на 1,7 кВ, созданный по оригинальной топологии, адаптированной под возможности российских производств.
Ранее такие компоненты закупались за рубежом, но теперь Россия делает шаг к импортонезависимости в сфере силовой электроники.
Почему это важно? Карбид кремния, это материал будущего: он выдерживает высокие температуры, напряжения, ускоряет переключения, снижает потери энергии и уменьшает размеры компонентов. Такие транзисторы применяются в электромобилях, спутниках, промышленной технике и бытовой электронике.
Учёные не только создают сам компонент, но и разрабатывают всю технологическую цепочку его производства, что делает проект стратегически важным для развития российской микроэлектроники.
