Исследователи из Университета Фудань (Шанхай) представили революционную разработку, энергонезависимую память нового поколения под названием PoX, способную записывать данные всего за 400 пикосекунд. Это эквивалентно четырём сотым триллионной доли секунды и в 100 000 раз быстрее любых аналогов, существующих на сегодняшний день.
Для сравнения: PoX может выполнять до 25 миллиардов операций в секунду, что делает её самой быстрой полупроводниковой памятью с зарядовым хранением данных, когда-либо созданной.
Что делает память PoX особенной?
В отличие от традиционной флеш-памяти, основанной на кремнии, в PoX используется графен — сверхтонкий двумерный материал с выдающимися электрическими характеристиками. Команда под руководством профессора Чжоу Пэна (Государственная лаборатория интегральных чипов и систем) применила структуру энергетических зон Дирака, что обеспечило уникальные свойства при записи и хранении данных.
Почему это так важно, и какой потенциал у PoX памяти?
Развитие искусственного интеллекта требует колоссальных ресурсов, и современные технологии памяти едва справляются с нагрузкой. DRAM и SRAM обеспечивают высокую скорость, но теряют данные при отключении питания. Flash-память сохраняет информацию без энергии, но слишком медленна, зачастую ей требуются миллисекунды. PoX объединяет лучшее от обоих миров, молниеносную скорость и энергонезависимость, что может в будущем радикально изменить архитектуру ИИ-устройств, дата-центров, смартфонов и даже бытовой электроники.
Разработка PoX, это шаг к созданию памяти, которая одновременно быстра, надёжна и энергоэффективна. В перспективе она может полностью изменить подход к вычислительной технике и стать ключевым элементом в следующем поколении устройств с искусственным интеллектом.
