Компания Samsung представила BM1743, один из самых ёмких в мире твердотельных накопителей, его объём составляет 61,44 Тбайт. Он предназначен для центров обработки данных, кроме того, компания анонсировала планы по созданию ещё более ёмких SSD на 122,88 Тбайт.
Новый накопитель Samsung BM1743 оснащён фирменным контроллером и использует память 3D V-NAND QLC седьмого поколения. Это устройство поддерживает как интерфейс PCIe 4.0, так и более современный PCIe 5.0 x4, обеспечивая высокую скорость работы. Согласно техническим характеристикам, этот SSD может достигать скорости последовательного чтения до 7200 мегабайт в секунду и скорости последовательной записи до 2000 мегабайт в секунду. Такую информацию опубликовал портал Tom’s Hardware.
Говоря о производительности, BM1743 способен обрабатывать до 1,6 миллиона случайных операций чтения 4K и до 110 000 операций записи 4K в секунду. Хотя эти результаты не являются самыми высокими, они вполне удовлетворяют целям, для которых предназначено это устройство.
Компания планирует выпускать накопители BM1743 в двух форм-факторах: U.2 для хостов с интерфейсом PCIe 4.0 x4 и E3.S с интерфейсом PCIe 5.0 x4. На данный момент компания не раскрывает информацию о энергопотреблении нового SSD. Возможно, оно будет довольно высоким из-за большой ёмкости устройства. Однако, учитывая, что главной характеристикой накопителя является плотность хранения данных, энергопотребление может оказаться не самым важным показателем.
Заметим, что на сегодняшний день у Samsung BM1743 не так много конкурентов на рынке. SSD с интерфейсом PCIe ёмкостью 61,44 ТБ могут предложить только компании Solidigm и Western Digital. Другие производители, такие как Kioxia, Micron и SK hynix, пока что не выпустили накопители с такой ёмкостью.
Новый твердотельный накопитель (SSD) разработан для приложений, требующих ультравысокой плотности хранения данных, например, для периферийных вычислений в сфере искусственного интеллекта или доставки контента. Samsung не останавливается на достигнутом и планирует создать накопители ёмкостью 122,88 терабайта, используя тот же тип памяти — 3D V-NAND.
